三星定於今年6月前全力轉投第六代11nm 1c DRAM芯片開發

據 Business Korea 報道,三星近期設立了一個新的目標,希望在今年 6 月前完成基於 11nm 工藝節點的第六代 1c DRAM 芯片的開發消息稱,該公司已要求自家研發人員停下或跳過基於 12nm 工藝節點的 1b DRAM 芯片的開發,以期擴大並維持較競爭對手(包括 SK 海力士和美光科技)的技術領先優勢。

三星定於今年6月前全力轉投第六代11nm 1c DRAM芯片開發

資料圖(來自:Samsung 官網)

當然,這不是我們首次看到三星作出類似的決定,此前這家韓國電子科技巨頭曾放棄 28nm DRAM、並全面轉向 25nm DRAM 的生產。

不過業內專家指出,11nm DRAM 的生產並非易事。因其需要先進的技術作為支撐,而當前三星在 1a DRAM(10 納米級別的第 4 代內存產品)的量產上落後於兩大競爭對手。

在巨大的壓力之下,報道稱三星正希望找到一種方法來實現既定目標。