上周，已透過不同媒體渠道“預熱”多時的英特爾，終於正式宣布了其在歐洲地區迄今為止最大規模的投資計劃。包括德國馬格德堡兩座全新的埃米級先進製程晶圓廠，英特爾首期投資已達到330億歐元，未來十年的總投資計劃，更是高達800億歐元。這一規模宏大的投資計劃背後，已經不僅僅是常規商業邏輯，更標誌着全球半導體產業鏈重構進入新的階段。
歐盟的算計
全面布局歐洲，對英特爾而言可謂“名利雙收”。
其中的“利”，最直接的當然是歐盟各成員國對英特爾在當地投資的補貼、融資和其他支持，如其馬格德堡晶圓製造廠，據報道將獲得高達50億歐元的補貼，約佔該項目總投資規模的30%，而規劃中的意大利芯片封裝測試工廠，更有望獲得40%的投資補貼。
此外，英特爾在德法意西等國從設計到製造、封測的完整業務布局，也將有助於其吸納歐洲地區人才，並為歐洲客戶提供本地化的配套服務能力，增強其在歐洲市場競爭力。
至於其收穫的“名”，無疑是歐盟方面的高規格支持，早在去年談判階段，英特爾CEO帕特基辛格就已經成為法國總統、德國總理等歐洲政要的座上賓，這次的投資計劃官宣后，歐盟委員會主席烏蘇拉·馮德萊恩也第一時間表態，稱這項投資是“歐盟芯片法案下的第一項重大成就……這對我們目前正在建設的歐洲芯片生態系統做出了相當大的貢獻”。
作為合作中的另一主角，歐盟的熱情其來有自。
不久前，歐盟剛剛頒布了其《芯片法案》，提出了到2030年將歐洲企業在全球半導體市場的份額提高一倍，達到20%。為實現這一目標，歐盟委員會聲稱將在2030年前動員約430億歐元的政府和私人資金注入該產業。
與其雄心相比，歐洲地區半導體產業現狀有相當的落差，根據波士頓諮詢的數據，歐盟半導體製造能力在全球佔比已從1990年的44%下降至目前約10%，本土企業主要長於工業用、汽車用半導體，在邏輯與存儲產品上競爭力不足，工藝節點也依然徘徊在成熟製程；全球前十Fabless榜單，近年來也罕有歐洲企業入圍。
歐盟半導體企業長於工業、汽車產品
要趕上這樣的差距，除了扶持恩智浦、博世、意法、英飛凌等本土企業加速發展，引入外部優勢廠商在歐洲投資建廠，也是一條可快速見效的路子。
事實上，“築巢引鳳”也是不少國家的通行做法，我國芯片自給率的核算中，外商投資企業在華產能，也同樣被納入統計口徑，半導體巨頭在華投資項目，除了技術水平較高，對半導體上下游產業帶動作用強，對其所在地區的就業、投資、消費，也有相當明顯的輻射作用。例如三星在西安地區的半導體工廠一期項目，目前年產值已超過500億元，佔到西安地區GDP約二十分之一的驚人比例，二期項目建成達產後，更有望一舉成為全球十分之一閃存產能的生產基地。
英特爾此番大手筆投資，對歐盟而言，也有望收到立竿見影的效果。
不過歐盟對英特爾的巨額補貼，很可能附着有特殊義務。集微網完整閱讀歐盟《芯片法案》文本發現，一方面，其中對英特爾這樣的先進製程或創新技術“填補空白”型（first-of-a-kind）投資，給予了慷慨的財政支持與投資審批便利，另一方面，也規定了這類獲得政府補貼的投資（在草案中分為開放代工廠Open EU Foundries和整合製造廠Integrated Production Facilities兩類），需要為歐盟區域內的半導體新技術研發提供便利，在面臨半導體供應緊張的情況下，歐盟甚至有權對相關設施進行訂單排產優先級的干預乃至出口管制，顯然意在確保歐盟對區域內半導體產業的實際調控能力。
供應短缺情況下的應急措施
這樣的背景下，英特爾與歐盟的“雙向選擇”就頗耐人尋味，在三家掌握先進製程技術的廠商中，台積電據路透社去年報道，與歐盟方面洽談曾“不歡而散”，三星目前也未傳出赴歐布局消息，英特爾的泛歐布局和歐盟給予英特爾的慷慨支持，隱隱勾勒出歐盟半導體產業規劃中，“跨大西洋夥伴”之間的更多互信，東亞半導體產業，被有意無意排在了合作的候補位置。
歐盟的啟示
目前看，儘管英特爾投資計劃打響了頭炮，但由於涉及到機構編製的調整（新設歐洲半導體委員會）和公共預算調整，歐盟《芯片法案》要全面落地，還有相當長的一段路要走，但無論如何，歐盟對半導體先進製程技術的追求中，在美國與東亞夥伴之間的這次“選邊”，依然是一個具有里程碑意義的事件，標誌着半導體產業全球化向區域化的回潮，進入到一個新的階段，歐美髮達國家在東亞產業集群外打造替代網絡的努力，使兩套“楚河漢界”產業鏈的前景依稀浮現。
不過另一方面，在《芯片法案》及與英特爾的合作中，歐盟的做法也為我國半導體產業提供了一些啟示。
首先，歐盟對外商投資在支持本土先進技術研發，以及緊急情況下的“保供”義務，做了明確要求，儘管這樣的要求可能“嚇跑”一些廠商，但坐擁全球最大芯片消費市場的中國，也必然會對更多廠商產生強大的吸引力，大力度的扶持政策與對企業合理適當的義務規範相結合，更有助於半導體產業鏈補鏈強鏈的努力。
歐盟高性能通用處理器研發路線圖
另外，歐盟在《芯片法案》中，還明確列出了其半導體先進製程的發展規劃，包括將建設10納米及以下工藝節點FDSOI試驗線、2納米以下工藝節點FinFET/GAA試驗線、3D異構先進封裝試驗線，並通過開放這樣的試驗線，帶動從材料、設備到設計、製造工藝、封裝測試的上下游產業環節發展。
採用6納米工藝、RISC-V架構、異構封裝的歐盟通用處理器樣片
其中，採用FDSOI（全耗盡絕緣體上硅）工藝的半導體器件，由於源和體之間勢壘較小，浮體效應影響低，其源漏極之間很薄的結深，也有助於抑制短溝道效應，使之具備在昂貴複雜的3D結構FinFET/GAA工藝之外，推進經典幾何結構晶體管向更小特徵尺寸微縮的潛力，加上低電源電壓、低漏電流、強抗輻射、較高的器件工作速度等特性，使之十分適合於超低功耗芯片製造。
對於在FinFET技術發展上明顯受到外部遏制的我國而言，FDSOI同樣是一條可能“換道追趕”的技術路徑。
事實上，根據集微網了解，02專項總師葉甜春院士的帶領下，國內也已經形成廣東大灣區集成電路與系統應用研究院為代表的FDSOI先進工藝研發力量，他曾熱情展望稱，“現在FinFET往下走已經遇到大量的技術壁壘，FDSOI開始顯現出優點，除了它的性能優勢之外，在製造上，它的要求低於FinFET，對於中國已有的產業鏈裝備材料也非常適合。再加上未來中國蓬勃發展的市場，未來我們能不能打造一個新的生態來做這件事情。”
自2019年註冊成立以來，該院已經在面向1X納米FDSOI關鍵技術、光電異質集成、計算光刻等先導性技術研發上取得一系列成果，隨着先導成果的積累，在上周剛剛公布的《廣州市半導體與集成電路產業發展行動計劃（2022-2024年）》中，已經出現了FDSOI產業化的具體部署：“建設先進SOI（絕緣體上硅）工藝生產線，力爭引進張江國家實驗室，重點開展12英寸先進SOI工藝研發，推動與現有製造產線整合，建設FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）工藝研發線、RF-SOI（射頻絕緣體上硅）工藝生產線。”
總體而言，隨着近期《芯片法案》、英特爾投資等一系列“大動作”，歐盟也已正式加入全球主要國家半導體產業政策的“競賽”之中，在這樣大國爭競的戰國時代，中國半導體產業所面臨的挑戰無疑將進一步加大，需要更多的產業人，如同葉甜春院士在FDSOI領域的耕耘，在激烈的競爭中闖出一條新路。