據科技網站elchapuzas報道,投行摩根斯坦利日前走訪半導體設備供應商,得知台積電即將完成其改進版3納米工藝N3E的開發,最早將於本月底實現工藝規範凍結,基於N3E工藝的產品大規模量產或將在2023年第二季度實現,較此前規劃提早一個季度。
其他信息還包括:N3E工藝試產良率遠高於N3B,在減少4層EUV掩膜的情況下,邏輯電路密度僅較原先的N3工藝下降8%,較5納米節點仍有60%的提升。
據科技網站elchapuzas報道,投行摩根斯坦利日前走訪半導體設備供應商,得知台積電即將完成其改進版3納米工藝N3E的開發,最早將於本月底實現工藝規範凍結,基於N3E工藝的產品大規模量產或將在2023年第二季度實現,較此前規劃提早一個季度。
其他信息還包括:N3E工藝試產良率遠高於N3B,在減少4層EUV掩膜的情況下,邏輯電路密度僅較原先的N3工藝下降8%,較5納米節點仍有60%的提升。