Intel EUV極紫外光刻設備進入愛爾蘭廠 衝刺“4nm”工藝

位於愛爾蘭萊克斯利普(Leixlip)、投資70億美元的Intel Fab 34晶圓廠迎來重要時刻:一台光刻膠顯影設備(lithography resist track)緩緩進入工廠,這也是該廠的第一台巨型芯片製造工具。該設備來自Intel美國俄勒岡州工廠,搭乘飛機越過大西洋,來到了愛爾蘭。

Intel EUV極紫外光刻設備進入愛爾蘭廠 衝刺“4nm”工藝

這台設備將與EUV極紫外掃描儀搭檔,首先為硅晶圓覆上精密的塗層,然後進入EUV掃描儀,進行曝光,接着晶圓回到光刻設備,再進行一系列的高精密光顯影、清理操作。

一座典型的晶圓廠包含大約1200台先進製造設備,大部分價值都在百元美元級別。

Intel Fab 34晶圓廠2019年動工建設,計劃2023年正式投產,將會把Intel在愛爾蘭的產能翻一番,並為未來生產Intel 4工藝鋪平道路——嚴格來說是Intel 7nm,但是官方重新命名,認為它可以媲美行業4nm水平。

Intel EUV極紫外光刻設備進入愛爾蘭廠 衝刺“4nm”工藝

Intel EUV極紫外光刻設備進入愛爾蘭廠 衝刺“4nm”工藝

Alder Lake 12代酷睿、Raptor Lake 13代酷睿都是Intel 7工藝(10nm ESF),Meteor Lake 14代酷睿和代號Granite Rapids的下下代至強都將用上Intel 4工藝。

Intel EUV極紫外光刻設備進入愛爾蘭廠 衝刺“4nm”工藝

官方透露,新工藝研發進展順利,芯片測試已經完美通過,SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規範,去年第二季度還早早完成了Meteor Lake計算單元模塊的流片。

Intel現階段正在全球建設、升級晶圓廠,除了愛爾蘭還有美國本土的亞利桑那州、新墨西哥州、俄勒岡州,以及馬來西亞,投資上百億美元,很快還會宣布在歐洲、美國的更多晶圓廠建設計劃。

Intel EUV極紫外光刻設備進廠:衝刺“4nm”工藝

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