消息稱國產長鑫內存今年產能翻倍:17nm DDR5在路上

在2021年,有越來越多的內存廠商使用了合肥長鑫公司開發的DDR4內存芯片,產能也在穩步增長,據悉2021年已達6萬晶圓/月,消息稱今年的產能將翻倍,達到12萬晶圓/月的水平,同時還會有更先進的17nm工藝DDR5/LPDDR5等內存芯片。

據介紹,合肥長鑫存儲作為一體化存儲器製造商,專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發、生產和銷售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠並投產,18年研發國內首個8Gb DDR4芯片,2019年Q3季度量產,2020年多款國產內存已經用上了長鑫的顆粒。

產能方面,長鑫在2020年、2021年分別實現了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標,2022年的產能目標是12萬片晶圓/月,未來的產能目標是30萬片晶圓/月。

國產內存今年的產能目標在全球是什麼水平?此前TrendForce預測,2021年底全球內存產能將達到150萬晶圓/月,三星產能超過55.5萬晶圓/月,SK海力士是36萬片晶圓/月,美光也有35.5萬晶圓/月。

如果今年內國產內存產能如期建成,那麼合肥長鑫能進入全球第四,不過與前三名的差距還很大。

消息稱國產長鑫內存今年產能翻倍:17nm DDR5在路上

當然,國產內存擴增產能依然是好事,用網友的話說就是國內有自己的內存芯片生產,就不怕別人的內存廠失火、斷電、地震等災難了。

除了產能擴增,國產內存的技術水平也在追趕,目前長鑫量產的主要是第一代10nm級別工藝10G1,實際水平應該是19nm,主要以DDR4、LPDDR4為主,2020年報道中提到研發17nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內存,這是10G3代工藝,未來還有10G5工藝,除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。

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