12月17日，“杭州芯火壹號”HX001芯片發布，宣告杭州國家“芯火”第一顆芯片——超大窗口阻變隨機存儲器芯片誕生。該芯片是杭州國家“芯火”雙創平台共性技術研究的一部分，由杭州國家“芯火”雙創平台與浙江大學微納電子學院協同開發完成。
圖片來源：杭州國家芯火
據悉，“杭州芯火壹號”HX001芯片的阻變器件選擇插層結構，採用雙層或多層的插層結構來固定導電細絲在電極、插層和阻變層界面處的位置，製備Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni結構，來有效地減少阻變器件的阻變參數的離散性。具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni結構的阻變器件不需要Forming操作，從而有效提高憶阻器的窗口，存儲窗口可大於106，並減少了對器件的後端集成。同時，採用十字交叉陣列將單元面積做到40F2，大大提高了阻變器件的集成密度。
檢測報告顯示：HX001芯片的工作電壓小於5V；所讀取的憶阻器阻值窗口遠大於106；在150℃環境下，分別在1s，30s，100s，300s，1000s，3000s時加約0.1V小電壓對憶阻器進行數據保持特性測試，憶阻器均能保持電阻阻值穩定；根據模型外推憶阻器所存儲的數據可在150℃環境溫度下保持10年以上；憶阻器單元面積小於40F2。目前，已申請一項國家發明專利。
杭州國家芯火消息稱，目前“HX001”芯片已經多家單位評測試用，用戶均認為該芯片產品具有較好的存儲特性和可靠性，優於市場同類產品，具有較好的市場應用前景。（校對/若冰）