記者探訪英特爾Fab 42工廠:下一代芯片開發進展搶先知曉

作為“美國製造”的重要一環,Cnet 資深記者 Stephen Shankland 剛剛分享了亞利桑那州英特爾 Fab 42 工廠的參觀體驗。不過最讓我們感興趣的,還是下一代Sapphire Rapids 至強、Meteor Lake 台式處理器、以及 Ponte Vecchio GPU 的一瞥。

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(圖 via Cnet)

據悉,Fab 42 工廠主要負責 10nm(Intel 7)和 7nm(Intel 4)芯片的製造與測試,涵蓋了英特爾下一代消費級、數據中心、高性能計算產品線。

比如 Meteor Lake 台式處理器、Sapphire Rapids 至強 CPU、以及面向 HPC 的 Ponte Vecchio GPU 。

Intel’s Fab 42 – A Peek Inside(via)

首先介紹 Meteor Lake,其定於 2023 年上市。作為英特爾首個採用多芯片設計的產品,Cnet 設法搞到了第一組測試芯片的照片。

它看起來與該公司在 2021 架構日活動期間展示的渲染圖很像,而相關測試工具旨在確保 Forveros 互連封裝工藝能夠如預期般工作。

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Meteor Lake 測試芯片展示了在同一基板上互連的四個小芯片,參考官方分享的渲染圖,頂部應該是計算塊(Compute Tile)、中間為 SoC-LP、底下為 GPU 塊。

不過從芯片尺寸上來看,WCCFTech 推測最上面的可能才是 GPU 塊,核心計算塊則被包裹在了中間(底層還是包含 IO 的 SoC-LP)。

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然後我們見到了 300mm 的Meteor Lake 測試芯片晶圓,該流程需要再次確保芯片上的互連如預期工作。

鑒於英特爾已經完成了 Meteor Lake 計算塊方面的工作,如果一切順利的話,最終芯片有望於 2022 年 2 月試產,並於 2023 年正式推出。

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其它方面,預計 Meteor Lake 系列台式 / 桌面 CPU 會採用升級后的高性能“Redwood Cove”架構,搭配 7nm EUV 工藝。不過在設計之初,英特爾就已經考慮到了不同製程節點下的應用。

有趣的是,Meteor Lake 或成為英特爾首次告別環形互連總線架構的 CPU 產品線。也有傳聞稱,Meteor Lake 或採用純 3D 堆疊設計,並可利用來自外部晶圓廠的 I/O 芯片(比如台積電)。

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另有面向移動平台的 Meteor Lake-P / Meteor Lake-M

不過更重要的是,英特爾將正式在 CPU 上啟用 Foveros 封裝技術來連接基板上的各種芯片(XPU),這也與 14 代芯片上的“Compute Tile”描述保持一致。

插槽方面,它應該會保留對 LGA 1700 主板的支持(與 Alder Lake / Raptor Lake 一樣),輔以 PCIe 5.0 和 DDR5 內存支持(主流和入門型號應該兼容 DDR4)。

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其次是面向服務器 / 數據中心市場的 Sapphire Rapids 至強產品線,標準 SKU 包含了 4 個計算塊、但 HBM 版本還集成了四組高帶寬緩存,整體 8 個小芯片通過 EMIB 互連進行通訊(芯片邊緣較小的矩形條)。

如圖所示,Sapphire Rapids-SP 至強 CPU 在片上集成了高達 64GB 的 HBM2e 內存,相關設計已顯得相當成熟,表明其已做好在 2022 年之前部署於下一代數據中心的準備。

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標準款 Sapphire Rapids 至強 CPU 由四個 XCC 的小芯片組成,尺寸約 400 m㎡ 。頂級的 Sapphire Rapids-SP 至強處理器上總共有四個芯片,每個裸片通過 EMIB 互連起來。

EMIB 的間距為 55u,核心間距則是 100u 。普通的 Sapphire Rapids-SP 至強 CPU 具有 10 個 EMIB 互連(HBM2e 版本為 14 個),整個封裝尺寸為 4446 m㎡ 。

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四個 HBM2e 內存則採用了 8-Hi 堆棧方案,英特爾打算每堆棧至少提供 16GB,那整個 Sapphire Rapids-SP 就是 64GB,封裝尺寸也達到了驚人的 5700 m㎡(較標準款大 28%)。

即使與近期泄露的 AMD 霄龍(EPYC)Genoa 相比,HBM2e 版 Sapphire Rapids-SP 芯片的最終封裝也大了 5%(但標準款 Sapphire Rapids CPU 的封裝要小 22%)。

● Intel Sapphire Rapids-SP 至強(標準封裝)- 4446m㎡

● Intel Sapphire Rapids-SP 至強(HBM2E 封裝)- 5700m㎡

● AMD EPYC Genoa(12 CCD 封裝)- 5428m㎡

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此外英特爾表示,與標準封裝設計相比,EMIB 鏈路可帶來兩倍帶寬密度和能效改進。

有趣的是,該公司將最新的至強產品線稱作“邏輯單片”,意味着它們採用了與單芯片相同的互聯功能(技術上將四個小芯片連到一起)。

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最後是 Ponte Vecchio 芯片,英特爾概述了旗下數據中心旗艦 GPU 的一些重要參數,包括 128 核 Xe、128 個 RT 單元、HBM2e 緩存、以及 8-Tile 的 Xe-HPC GPU 。

該芯片擁有兩組相對獨立的堆棧和 408MB L2 緩存,互相之間通過 EMIB 互連,並將在多個芯片上運用自家的 10nm(Intel 7)+ 台積電 N7 / N5 等不同工藝節點。

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此前英特爾還介紹過基於 Xe-HPC 架構的 Ponte Vecchio 旗艦 GPU 的封裝與芯片尺寸,可知其由 2-Tile 組成、每 Tile 疊有 16 個可用裸片。最大號芯片的頂部尺寸為 41 m㎡,基礎芯片(計算塊)的大小為 650 m㎡ 。

以下是 Ponte Vecchio GPU 用到的所有製程工藝:

● 英特爾 7nm

● 台積電 7nm

● Foveros 3D 封裝

● EMIB 互連

● 10nm 增強 Super Fin

● Rambo Cache

● HBM2 高帶寬緩存

以下是英特爾如何達成 47-Tile 的 Ponte Vecchio 芯片的:

● 16 Xe HPC(內 / 外)

● 8 Rambo(internal)

● 2 Xe Base(internal)

● 11 EMIB(internal)

● 2 Xe Link(external)

● 8 HBM(external)

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綜上所述:Ponte Vecchio 並不是一整塊大芯片,而是使用了 8 個 HBM 8-Hi 堆棧 + 11 路 EMIB 互連,完整封裝尺寸為 4843.75 m㎡ 。

作為一款性能強大的小芯片設計產品,其總共堆疊了 47 個計算塊,且並非完全基於同一種工藝節點。

此外使用高密度 3D Foveros 封裝的 Meteor Lake CPU,其“凸點間距”(bump pitch)為 36u 。

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英特爾正在亞利桑那州 Chandler 建設 Fab 52 / 62 工廠

展望未來,Intel Fab 42 工廠將於幾年後併入 Fab 52 / 62,以生產更先進的芯片產品。

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公司新任 CEO 帕特·基辛格曾表示:“摩爾定律仍然有效”。而在接下來的四年,英特爾將加快趕超競爭對手的腳步。

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