三星電子開始採用EUV技術批量生產14納米DRAM芯片

據外媒報道,全球最大存儲芯片製造商三星電子周二宣布,該公司開始使用極紫外光刻(EUV)技術批量生產業界最小的 14 納米DRAM芯片,這有助於其鞏固在存儲行業的領導地位。繼去年 3 月出貨業界首款 EUV DRAM 之後,三星電子已將 EUV 層的數量增加到 5 層,為其DDR5 解決方案提供當今最精細、最先進的 DRAM 生產工藝。
DDR5 是下一代 DRAM 標準,與 DDR4 相比,它具有速度快、密度高、功耗低的特點。它還針對大數據、人工智能 (AI) 和機器學習等數據密集型應用進行了優化。

三星電子錶示 ,EUV 技術減少了多圖案繪製中的重複步驟,提高了圖案繪製的準確性,從而實現了更好的性能和更高的產量,並縮短了開發時間。

三星電子開始採用EUV技術批量生產14納米DRAM芯片

三星電子還稱,即將開始量產 DDR5, 並預計最新的工藝將使生產率提高 20%, 能耗降低近 20%。 利用最新的 DDR5 標準,三星 14 納米 DRAM 將幫助解鎖前所未有的高達 7.2Gbps 的速度,這是 DDR4 速度的 2 倍多。

三星電子高級副總裁兼 DRAM 產品與技術負責人 Lee Joo-Young 稱:“通過專註關鍵的圖形技術創新,我們已經引領了 DRAM 市場近 30 年。今天,三星用多層 EUV 實現了另一個技術里程碑,這是傳統的氟化氬 (ARF) 工藝所不可能實現的壯舉。”

他補充說:“在這一進步的基礎上,我們將繼續提供差異化程度最高的內存解決方案,充分滿足 5G、AI 和元宇宙等數據驅動型領域對更高性能和容量的需求。”

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