Intel:未來將投資600-1200億美元在美國新設晶圓廠

英特爾首席執行官 Patrick Gelsinger 近日透露,位於美國的新晶圓廠將投資 600-1200 億美元他還表示:“我們會在美國進行更廣泛的評估,未來會新建 6-8 個晶圓廠,每個晶圓廠的投入在 100-150 億美元之間”。

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他繼續強調:“英特爾在未來 10 年內將會投資 1000 億美元,創造 10000 個直接就業項目。根據我們的經驗,這 10000 個工作崗位會帶動 100000 個周邊工作崗位。所以,本質上,我們想建造一個小城市”。

作為 IDM 2.0 發展戰略的一部分,英特爾計劃在美國設立的主要半導體製造中心。該綜合體將會包含 6-8 個晶圓廠,這些模塊將通過採用該公司前衛的製造工藝來製造芯片。此外,它將能夠利用英特爾的專有技術(如 EMIB 和 Foveros)封裝芯片,並將運行一個專用的發電廠。

英特爾尚未透露最新工廠的初始模塊將支持哪些節點,但由於它可能最早在 2024 年投入運營,因此該工廠可能會採用英特爾 4 和英特爾 3 製造技術製造芯片。新設施的生產能力也尚未透露。

Gelsinger 進一步說:“我們今天正在與美國各地的一些州進行接觸,他們向我們提供了關於場地位置、能源、水、環境、大學附近、技能能力的建議,我希望在今年年底之前公布這些選址”。

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