高級技術研究員 Yuzo Fukuzaki，剛剛為我們詳細解釋了 AMD 在台北電腦展（Computex 2021）主題演講期間介紹的一項難以捉摸的新 CPU 技術。在該公司後續的講解中，有將所謂的三維垂直緩存（3D V-Cache），描述為堆疊在 CCD（CPU 複雜核心模塊）頂上的額外 64MB 末級緩存。
官方宣稱 3D V-Cache 設計可將遊戲性能平均提升 15%，甚至可與 Zen 3 架構升級所帶來的改進相媲美。
主題演講體驗，AMD 還亮出了一款基於 AM4 插槽、Zen 3 CCD 架構、輔以 3D V-Cache 緩存部件設計的原型樣品。
以 16 核心的處理器為例，3D V-Cache 可讓其擁有 192 MB 的 L3 緩存。
（傳送門：LinkedIn）
Yuzo Fukuzaki 通過詳細的理論，闡明了 3D V-Cache 在處理器緩存層次結構中的最合理位置。顯然，它擴展了 CCD 的 L3 緩存，而不是作為接替 L3 的“L4”級緩存。
猜測 3D V-Cache 應該屬於一種 SRAM 芯片，採用與 Zen 3 CCD 相同的 7nm 工藝製造，尺寸在 6×6 m㎡，通常位於具有 32MB L3 SRAM 的 CCD 區域上方。
Fukuzaki 預估 AMD 會為 3D V-Cache 芯片打出大約 23000 個硅通孔（TSV），單孔直徑約 17 μm，可將 3D V-Cache 芯片與主 CCD 模塊緊密連接到一起。
不過對於操作系統來說，緩存的相關層級設置仍是相當透明的（可視作每個 CCD 模組的 96MB L3 緩存）。