Intel 全力押注 EUV 工藝 爭取首發下代高 NA 光刻機

Intel 這幾年在工藝進度上落後跟 10nm、7nm 工藝多次跳票有關,而新工藝延期也跟 Intel 此前不考慮 EUV 工藝有關,所以 10nm 工藝才上了四重曝光,導致良率上不去,遲遲無法量產。

Intel 全力押注 EUV 工藝 爭取首發下代高 NA 光刻機

Intel 之前認為 EUV 工藝不夠成熟,現在 EUV 光刻工藝已經量產幾年了 ,Intel 也開始跟進了,原先的 7nm 工藝、現在的 Intel 4 工藝會是全面使用 EUV 光刻機的開始,首款產品是 Meteor Lake 流星湖 ,2023 年發布。

之後的 Intel 3 工藝 、Intel 20A 工藝上也會持續利用 EUV 工藝,進一步提升性能及能效。

再往後 Intel 還會積極跟進 EUV 技術發展 ,2025 年之後的工藝已經規劃到了 Intel 18A, 將使用第二代 RibbonFET 晶體管 ,EUV 光刻機也會有一次重大升級。

Intel 表示致力於定義、構建和部署下一代 High-NA EUV, 有望率先獲得業界第一台 High-NA EUV 光刻機。

Intel 目前正與 ASML 密切合作,確保這一行業突破性技術取得成功,超越當前一代 EUV。

這就意味着 Intel 很有可能首發下一代 EUV 光刻機,NA 數值孔徑從目前的 0.33 提升到 0.5, 這是 ASML 的 NXE:5000 系列,之前預計是在 2023 年問世,現在推遲到了 2025-2026 年,單台售價預計將超過 3 億美元,差不多人民幣 20 億一台。

Intel 為了超越台積電、三星重返半導體技術一哥,現在可以說是拼了老命了,對玩家來說這倒是好事,以往的帶頭大哥回來了。

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