Intel今天宣布了全新的工藝路線圖，一個最核心的變化就是改名：10nm Enhanced SuperFin改名為Intel 7，7nm改名為Intel 4，未來還有Intel 3，以及全新晶體管架構的Intel 20A、Intel 18A。Intel表示，此前的工藝節點命名規則始於1997年，都是以實際的柵極寬度來定義(xxnm)，但是近些年來，工藝命名和柵極寬度已經不匹配，因此Intel啟用了新的命名方式，便於產業、客戶、消費者理解。
Intel 7工藝號稱能耗比相對於10nm SuperFin提升大約10-15％，今年底的Alder Lake 12代酷睿首發，明年第一季度還有Sapphire Rapids四代可擴展至強。
Intel 4工藝全面引入EUV極紫外光刻，能效比再提升大約20％，明年下半年投產，2023年產品上市。
首發消費級產品是Meteor Lake，已在今年第二季度完成計算單元的六篇，數據中心產品則是Granite Rapids。
Meteor Lake預計將隸屬於14代酷睿家族，它之前還有一代Raptor Lake，後者也是Intel 7工藝。
今天的會議上，Intel也首次展示了Meteor Lake的測試晶圓，除了新工藝還有Foveros 3D立體封裝。
這一代，也將是Intel消費級處理器第一次放棄完整的單顆芯片，引入不同工藝、不同IP的模塊，藉助新的封裝技術，整合在一起。
再往後，Intel 3工藝進一步優化FinFET、提升EUV，能效比繼續提升大約18％，還有面積優化，2023年下半年投產。
它也是最後一代FinFET晶體管，2011年的22nm二代酷睿Ivy Bridge第一次引入。
之後就是后納米時代了，工藝命名又改了新的規則，首先是Intel 20A，擁有兩項革命性技術，RibbonFET就是類似三星的GAA環繞柵極晶體管，PoerVia則首創取消晶圓前側的供電走線，改用後置供電，也可以優化信號傳輸。2024年投產。
接下來是Intel 18A，預計2025年初投產，繼續強化RibbonFET，還有下一代高NA EUV光刻，與ASML合作。
RibbonFET晶體管
PowerVia
傳統晶圓(左)、Powervia晶圓(右)供電和信號走線對比：圖片上方對應晶圓前側
