全球存儲巨頭爭相擴產,中國廠商入局能否打破“鐵三角”格局?

作為芯片進口大國,中國一年 3000 億美元的芯片進口中,就有超過 800 億美元來自於內存芯片,包括了 DRAM 芯片和 NAND 芯片。而在芯片缺貨潮下,全球市場對於存儲芯片的需求更是不斷攀升。

6 月 29 日,有消息稱韓國存儲器巨頭 SK 海力士將針對 2 月份才落成的 M16 新晶圓廠投資 8000 億韓元 (約人民幣 45 億元),用以採購包含 EUV 在內的生產設備。該工廠預計在今年年底前達到每月量產 1.8 萬片 12 寸晶圓的目標。

而在此前,三星以及美光均對外發布了相關芯片的擴產計劃。

同樣在國內,也形成了以長江存儲、合肥長鑫和福建晉華為首的國產存儲陣營。根據世界半導體貿易統計組織數據顯示,我國存儲芯片市場規模從 2015 年的 45.2 億美元已上升至 2020 年的 183.6 億美元,業內預測,到 2024 年,國內存儲芯片的市場規模有望突破 500 億美元。

存儲芯片價格兩個月漲 20%

炒內存條曾經被業內稱為“比炒房還要賺錢的生意”。”

隨着智能手機、服務器等終端的需求量激增 ,DRAM( 主要包括 PC 內存、移動式內存、服務器內存)價格一路飆升。分析機構指出 ,DRAM Q2 報價漲幅已進入全年峰值,從 4 月至 6 月累計漲幅將達到 20-25%。

全球市場研究機構 TrendForce 集邦諮詢表示,受今年上半年各終端買方積極備庫存的帶動,使存儲器原廠庫存偏低,目前 DRAM 原廠平均庫存僅 3 ~ 4 周 ,NAND Flash 供應商平均庫存則為 4 ~ 5 周。存儲器供應吃緊,上半年 DRAM 漲幅達 20%。 該機構預估,第三季整體 DRAM 價格將續漲約 3 ~ 8%,NAND Flash 則受 enterprise SSD 及 wafer 需求攀升,整體價格季漲幅將由原先的 3 ~ 8%, 上調至 5 ~ 10%。

全球存儲巨頭爭相擴產,中國廠商入局能否打破“鐵三角”格局?

“目前仍在漲價階段 。”TrendForce 集邦諮詢分析師吳雅婷對第一財經記者表示,受惠於製程轉換不易導致供給縮減等因素帶動,供給位元成長低於需求位元成長,使得今年度 DRAM 呈現供貨吃緊市況,價格持續走高。

吳雅婷對記者表示,目前的 DRAM 市場仍然由三星 、SK 海力士以及美光三強鼎立,呈現“寡佔”市場格局。

可以看到,存儲產業一直是韓國半導體產業構成中重要的一環。在今年年初,韓國政府公布的半導體強國目標十年規劃中就提到,到 2030 年,以三星和海力士為首的 153 家公司將總計投資超過 4500 億美元用於半導體研發和生產。而海力士此次對 EUV 光刻機的投資也被業內視為存儲器芯片擴產計劃中的重要一步。

此外,過去 EUV 光刻機設備主要用於邏輯芯片代工,但隨着三星在 2020 年將 EUV 光刻機導入第一代 10 納米級 (1x)DRAM 存儲器芯片量產的舉動,標誌着 DRAM 存儲器芯片進入 EUV 時代。除此以外,三星還計劃將在 2021 年大量生產基於第四代 10 納米 (1a)EUV 工藝的 16Gb DDR5/LPDDR5。

巨頭的不斷投入也在推高市場的整體增長。世界半導體貿易統計組織預計 ,2021 年全球半導體總產值有望達到 5272 億美元(約 33700 億人民幣),同比增長 19.7%, 其中存儲芯片的產值將以 31.7% 的增幅高居第一。

國產企業追趕

在國家大力支持半導體產業發展的大背景下,中國半導體存儲器基地於 2016 年開工建設,中國存儲芯片也迎來了大發展。

雖然達到“技術自主研發”與“穩定量產規模”的目標仍需要時間,但目前國內企業已經形成了以長江存儲、合肥長鑫以及利福建晉華為主的國產存儲陣營。

6 月 28 日,合肥長鑫第二期 12 寸廠房舉行奠基儀式,有消息稱新廠房是為未來進入 1y nm 以下工藝節點(接近 15 納米工藝)所做的前期準備。但官方並未對這一消息予以確定。

不過可以看到,過去幾年,合肥長鑫正在尋求 DRAM 內存芯的技術突破。

在 2019 年,合肥長鑫量產了 19nm 工藝的 DDR4、LPDDR4 內存,也是全球第四家 DRAM 產品採用 20nm 以下工藝的廠商。根據目標規劃,今年將完成 17nm 技術研發。

而在今年 3 月,合肥產投集團在其官微提到合肥長鑫發展情況時指出,目前長鑫 12 英寸存儲器晶圓製造基地項目總投資 1500 億元,截至 2020 年底,合肥長鑫 12 吋存儲器晶圓製造基地項目提前達到預期產能。

而另一家存儲企業,長江存儲 CEO 楊士寧 (Simon) 曾說過:“存儲不是一個好做的行業,比我在英特爾做 CPU 還要難。”

但經過三年的技術攻堅,長江存儲芯片月產能已達到 30 萬片,產品覆蓋 64 層 3D NAND 閃存和 128 層 3D NAND 閃存規格多款產品。此前華為 mate40 系列使用的閃存,出自長江存儲的 64 層 3D NAND。

此外,國家已出台一系列產業政策,支持存儲產業發展。

但隨着中國存儲器廠商陸續進入設備安裝階段,市場的變動也在“挑戰”着國際巨頭們的神經。

半導體調研機構 IC Insights 總裁曾表示,三星、海力士和美光佔據着市場 95% 以上的份額,在專利侵權方面傾向於相互之間睜一隻眼閉一隻眼,理論上,由於它們都擁有如此龐大的專利庫,所以彼此之間的專利爭奪戰是沒有任何意義的。“但是,如果一家新公司進入市場,他們將不會給予這樣的優待。”對於三星和海力士來說尤其如此。

換言之,目前國產存儲企業面對的挑戰是一場長距離賽跑,當面對巨頭們打出的“反周期定律價格戰”、“技術專利戰”時應該隨時有所準備。

(0)
上一篇 2021-06-30 14:57
下一篇 2021-06-30 14:58

相关推荐